ニアフィールド・インストゥルメンツ (Nearfield Instruments)、半導体計測技術推進のため複数年にわたる開発プロジェクトを締結

オランダ・ロッテルダム発, Nov. 19, 2025 (GLOBE NEWSWIRE) -- 走査プローブ技術をベースとした3D、非破壊、インラインプロセス制御ソリューションのリーダーである、ニアフィールド・インストゥルメンツは本日、半導体計測技術におけるイノベーションを加速させるための戦略的開発プロジェクトを発表した。

ニアフィールド・インストゥルメンツは、複数年にわたる提携の一環として、ルーヴェンにあるアイメック (Imec) の先端研究開発施設にて、同社の主力システムであるQUADRAを導入する。 この2つの組織は、以下に示す半導体製造バリューチェーン全般の重要課題に取り組むために、次世代の計測技術ソリューションを共同開発する。

• 高NA EUVリソグラフィ計測
  スキャナーの生産性向上のため、ニアフィールド・インストゥルメンツ社独自の高アスペクト比 (HAR) 画像モード (FFTP) を使用した高NA EUVレジスト3D計測技術の開発および特性評価。
• 先進ロジックデバイスの3Dプロファイリング
  相補型電界効果トランジスタ (CFETs) からQUADRA独自の側壁画像化モードまで、高アスペクト比構造の正確な特性評価を可能にする。
• 3D異種集積計測
  3D集積およびハイブリット結合 (ウエハ間、ダイ対ウエハ) の計測および検査能力の強化。 これらの用途には、高スループットとナノメートルレベルの解像度を兼ね備えたニアフィールド・インストゥルメンツ社の超大面積走査領域 (Ultra-Large Scanning Area、ULSA) 技術を活用した、銅パッドと誘電体のラフネス、エロージョン、ディッシング、フルダイイメージング、エッジロールオフが含まれる。
  
  

ニアフィールド・インストゥルメンツのCEOであるハメッド・サデギアン博士 (Dr. Hamed Sadeghian) は次のように述べている。
「アイメックとの提携により、半導体製造プロセス制御において実現可能な技術の限界を押し広げることができます。私たちは協働して、CFETの3Dプロファイリングからハイブリット結合の特性評価までの広範囲に及ぶ計測技術の課題に取り組みながら、高NA EUVリソグラフィから完全な3Dレジストイメージングにおけるさらなる飛躍を実現していきます。 計測技術の精度、速度、拡張性が、性能、エネルギー効率、歩留まりを直接決定づけることから、これらのイノベーションはAIチップ時代にとって極めて重要です。 QUADRAはそうした要求を満たすよう構築されています。」

アイメックのCEO、ルク・ファンデンホーブ (Luc van den Hove) は次のように述べている。「先進的な計測技術ソリューションは、今日の半導体業界が直面している複雑な課題を克服するために不可欠です。 最先端の研究と革新的な技術を組み合わせることにより、私たちは半導体製造の未来を支援し、デジタル時代の継続的な進歩を可能にする、変革的な発展への道を切り開いています。 私たちは、いくつかの急務に対応する高度な機器ソリューションを開発する欧州での取り組みを確認できて光栄であり、さらにパイロットラインを活用してこれらの機能の一部を実証したいと考えております。」

この提携は、最先端の計測技術イノベーションと高度な半導体プロセス開発を結び付ける動きで、大きな前進を意味する。 ニアフィールド・インストゥルメンツの実績ある技術とアイメックの先見性のある研究プログラムを組み合わせたこの提携は、半導体製造の未来を形成するような、影響力のあるソリューションを提供することを目的とする。

ニアフィールド・インストゥルメンツについて

オランダ・ロッテルダムに本社を構えるニアフィールド・インストゥルメンツは、半導体業界向けの高度な計測・検査ソリューションを専門とする。 同社は、3Dナノスケール計測を提供する次世代の走査型プローブ顕微鏡システムを開発・商品化している。
同社のイノベーションの主力は、独自のプラットフォームQUADRAであり、これは完全な側壁計測を含む、完全な3Dイメージング機能を備えた非破壊、高スループットの原子間力顕微鏡 (AFM)である。 半導体メーカーは、この装置を使用して、高度なノードや3D ICパッケージングにおいてますます重要になっている高アスペクト比トレンチ、ビア、多層スタックなどの複雑な構造を高精度で計測できるようになる。 同社のソリューションは、大量生産環境へシームレスに統合できるよう設計されており、堅牢な自動化、高速計測サイクル、製造工場の標準規格との互換性を提供し、業界のニーズに沿った次世代の半導体製造イノベーションを可能にする。

詳しくは、nearfieldinstruments.comを参照されたい。

報道関係者向け問い合わせ先：ローランド・ファン・フリート (Roland van Vliet) 、チーフ・パートナーシップ・オフィサー、ニアフィールド・インストゥルメンツB.V. (Chief Partnership Officer Nearfield Instruments B.V.) roland.vanvliet@nearfieldinstruments.com | +31 6 20 36 97 41

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